据媒体报道，紫光公司主导的长江存储科技在武汉投资240亿美元建设国家存储芯片基地，该公司CEO杨士宁日前表态3D闪存晶圆厂的安装设备将在2018年Q1季度完工，2019年全速量产，预计2020年会在技术赶超国际领先的闪存公司。
芯片国产化是我国在信息安全自主可控政策的实践领域之一，作为信息技术的基础产业，半导体集成电路持续受到了国家政策的扶持。
点评：NAND闪存已经取得标志性进展，堆栈层数达到了32层，性能、功能、可靠性等关键指标已经达到了预期要求，向产业化道路迈出具有标志性意义的关键一步。国家存储器基地项目建成后，还将带动设计、封装、制造、应用等芯片产业相关环节的发展，为行业发展起到推动作用。
