报道称,三星计划将明年的存储芯片开支增加到65亿美元,额外增加的资金主要用于建设位于中国西安的闪存工厂二期工程。
点评:业内人士分析,三星现在加速建设新工厂,实际上也是预期闪存市场即将迎来拐点,2020年普遍被看好,三星大举建设新工厂,有助于抢占更高的份额。
在连跌7个季度之后,NAND闪存市场有望在今年底迎来转机。Q3季度闪存价格下跌幅度已经大幅收窄,预计Q4季度会由跌转涨,涨幅约为10%。
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点评:业内人士分析,三星现在加速建设新工厂,实际上也是预期闪存市场即将迎来拐点,2020年普遍被看好,三星大举建设新工厂,有助于抢占更高的份额。
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